بررسي خواص اپتيكي نانو لايه هاي InGaN/GaN با تغييرات عرض چاه و پهناي سد
پديدآورندگان :
طامهري اعظم نويسنده , هاشمي زاده عقدا علي نويسنده
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
تنش , ضخامت بحراني , ميدان پيزوالكتريك , پتانسيل كوانتومي , عرض سد , عرض چاه , چاه پتانسيل كوانتومي
عنوان كنفرانس :
همايش ملي فيزيك اصفهان
زبان مدرك :
فارسی
چكيده فارسي :
در این مقاله ارتباط خواص اپتیكی چاه پتانسیل InGaN/GaN با تغییرات عرض چاه و سد كوانتومی مطرح شده تا ضمن بدست آوردن ضخامت بحرانی چاه كه تنش در ورای آن از بین می رود شرایط رشدی كه منجر به خواص بهینه و بالا رفتن كارایی قطعه الكترونیكی ساخته شده از این ماده می شود مورد بررسی قرار گیرد.
