مقايسه خواص تحرك پذيري الكترونها در نيمرساناهاي Ga0.52In0.48P، GaAs، InP و GaP در ميدان هاي الكتريكي ضعيف

در اين پژوهش، تحرك پذيري الكترونها براي نيمرساناهای تركيبي Ga0.52In0.48P ، GaAs، InP و GaP، با استفاده از روش تكرار در بازهٔ دمايي K 20 تا K 600 در حد ميدانهاي پايين محاسبه شده است. با در نظر گرفتن مكانيسم هاي پراكندگي اپتيكي قطبي، پراكندگي ناخالصي يونيده شده و پراكندگي فونون هاي اكوستيكي ( پتانسيل تغيير شكل يافته و پيزوالكتريك)، معادله ترابري بولتزمن را با استفاده از روش تكرار حل مي كنيم. در محاسبه تحرك پذيري، ساختار نوار رسانش نيمرساناهای مذكور را بصورت غيرسهموي در نظر مي گيريم. در مجموع، تركيب توابع موج و استتار الكترون را مورد توجه قرار داده و در نهايت يك بستگي دمايي، براي تحرك پذيري نيمرساناي مورد نظر بدست مي آوريم.