بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزيستورهاي PD SOI MOSFET با مقياس 45nm نانومتر

پديدآورندگان

عسكري خشويي اعظم نويسنده , دقيقي آرش نويسنده دانشكده فني، دانشگاه شهركرد

تعداد صفحه

9

كليدواژه

نانومتر , PD SOI , مقاومت بدنه , پتانسيل بدنه , PSP SOI

عنوان كنفرانس

مجموعه مقالات دومين كنفرانس بين المللي برق

زبان مدرك

فارسی

چكيده فارسي

در اين مقاله مدل جديد غير خطي براي بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزيستورهاي PD SOI در مقياس 45nm ارائه مي گردد. اين مدل بر پايه شبيه سازي هاي سه بعدي سيگنال كوچك ارزيابي مي شود. در اين مقاله فاكتورهاي مشخص كننده مقاومت بدنه در ترانزيستورهاي نانومتر، با استفاده از قابليت شبيه سازي سه بعدي نرم افزار ISE-TCAD نشان داده مي شود و سپس با استفاده از مدل پتانسيل سطح، رابطه اي رياضي براي محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغييرهاي پتانسيل بدنه و عرض افزاره، بيان مي گردد. در نهايت نتايج شبيه سازي سه بعدي نرم افزاري و رابطه رياضي بدست آمده با آخرين نتايج بدست آمده مورد مقايسه قرار مي گيرد. مقايسات نتايج بهبود رابطه رياضي ارائه شده را نشان مي دهد.

شماره مدرك كنفرانس

1913295

سال انتشار

1390

از صفحه

1

تا صفحه

9

سال انتشار

0