شماره ركورد كنفرانس :
1030
عنوان مقاله :
بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزيستورهاي PD SOI MOSFET با مقياس 45nm نانومتر
پديدآورندگان :
عسكري خشويي اعظم نويسنده , دقيقي آرش نويسنده دانشكده فني، دانشگاه شهركرد
كليدواژه :
نانومتر , PD SOI , مقاومت بدنه , پتانسيل بدنه , PSP SOI
عنوان كنفرانس :
مجموعه مقالات دومين كنفرانس بين المللي برق
چكيده فارسي :
در اين مقاله مدل جديد غير خطي براي بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزيستورهاي PD SOI در مقياس 45nm ارائه مي گردد. اين مدل بر پايه شبيه سازي هاي سه بعدي سيگنال كوچك ارزيابي مي شود. در اين مقاله فاكتورهاي مشخص كننده مقاومت بدنه در ترانزيستورهاي نانومتر، با استفاده از قابليت شبيه سازي سه بعدي نرم افزار ISE-TCAD نشان داده مي شود و سپس با استفاده از مدل پتانسيل سطح، رابطه اي رياضي براي محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغييرهاي پتانسيل بدنه و عرض افزاره، بيان مي گردد. در نهايت نتايج شبيه سازي سه بعدي نرم افزاري و رابطه رياضي بدست آمده با آخرين نتايج بدست آمده مورد مقايسه قرار مي گيرد. مقايسات نتايج بهبود رابطه رياضي ارائه شده را نشان مي دهد.
شماره مدرك كنفرانس :
1913295
