بررسي موقعيت بوته در كوره حين فرآيند رشد بلور سيليكون بروش چكرالسكي

مقدار اكسیژن آزاد شده از بوته سیلیكا به مذاب سیلیكون حین فرایند رشد بلور می تواند بوسیله تنظیم وضعیت بوته داخل كوره جهت كاهش دما روی دیواره بوته كاهش یابد. حین رشد بدنه بلور، كاهش قابل توجهی در شیب غلظتی اكسیژن در امتداد فصل مشترك مذاب - جامد رخ می دهد كه به دلیل نیروی گردایی قوی تر Taylor – proudman می باشد كه از چرخش بلور و بوته انجام می گردد. كاهش در میانگین غلظت اكسیژن در فصل مشترك مذاب - جامد برای بلورهایی با طول بلندتر به دلیل دمای پایین تر دیواره، سطح تماس كمتر بین دیواره بوته و مذاب و نیروی گردایی قوی تر Taylor – proudman می باشد.

The amount of oxygen released from the silica crucible wall to the silicon melt during the growth process can be decreased by adjusting the heater position in furnace to reduce the temperature on the crucible wall. During growth of the crystal body, there is a significant decrease in oxygen concentration gradient along the melt-crystal interface occurs that due to the stronger Taylor- Proudman vortex, which is generated by the crucible and crystal rotation. significant reduction in the average oxygen concentration at the melt-crystal interface for longer crystal lengths was related to the lower wall temperature, smaller contact surface between the crucible wall and the melt and the stronger Taylor-Proudman vortex