رشد نانو سيم هاي اكسيد روي در بستر سيليكون و بررسي خواص آن

از زيرلايه ی سيليكون در ابعاد 1cm * 1cm 1 استفاده شد. نانوسيم های اكسيدروی طي روش تبخير گرمایی درون یك كوره افقی ، بدون استفاده از كاتالیست بر روی زیر لایه ی از جنس سیلیكون رشد داده شد. زيرلايه ی سيليكون به همراه گرانول اكسيد روی به مدت 30 دقیقه در دماهای 860oC ، 900oC و 950oC در اتمسفر اكسيژن در كوره افقی پخت گردید مورفولوژی سطخ نانو ساختارها توسط میكروسكوپ الكترونی رویشی (SEM) مدل XL30 ساخت شركت Philips تعیین شد. طیف گذار نمونه های اكسیدروی با استفاده از طیف فتولومینسانس در بازه طول موجی 330 تا 580 نانو متر بدست آمد.

The dimensions of the silicon substrate was 1cm 1cm. ZnO nanowires during thermal evaporation method in a horizontal furnace without the use of catalysts were grown on a silicon substrate. Silicon substrate with bulk ZnO for 30 min at temperatures of 860oc, 900oc and 950oc in oxygen atmosphere in a horizontal furnace was cooking. Nanostructure surface morphology by scanning electron microscopy (SEM) model XL30 Philips Company was established. The optical properties of the samples was studied. Transition spectrum of ZnO samples was studied using a photo luminescent (PL) spectrometer in the wavelength range 330 to 580 nm.