شبيه سازي ميدان دما و جريان شاره در رشد بلور Bi4Ge3O12 به روش چكرالسكي با گراديان دماي پايين

Simulation of temperature field and fluid flow in Bi4Ge3O12 crystal growth by low temperature gradient Czochralski method

در این مقاله میدان های دما و جریان های شاره در یك سیستم رشد بلور Bi4Ge3O12 به روش چكرالسكی با گرادیان دمای پایین و گرم كننده مقاومتی شبیه سازی شده است. در ساختار این كوره عایق هایی برای كنترل گرادیان دما و انتقال حرارت تابشی به كار برده شده است. محاسبات در دو حالت قبل و بعد از وارد كردن سیم پلاتینی در مذاب انجام شده است. نتایج شبیه سازی تاثیر گرادیان دمای پایین و عایق ها را در توزیع دما و جریان های شاره سیستم رشد نشان می دهد.

In this paper temperature fields and fluid flows have been simulated in a Bi4Ge3O12 crystal growth systemby low temperature gradient Czochralski method and resistive heater. In the structure of this furnace theinsulations have been applied for control of temperature gradient and heat transfer. The calculations have been done in two cases consist of 1)before and 2) after enteringthe Pt wire in the melt. The results of simulation show influence of low temperature gradient and the insulations on the temperature distribution and fluid flow in the growth system.