بررسي اثر ناخالصي آلومنيوم در نانو ترانزيستورهاي AlGaN/GaN

در این مقاله با شروع از یك مدل نظری برای ساختارهای نامتجانس ، معادله شرودينگر و پواسون به صورت خودسازگار و به صورت دقيق و به روش عددي نوميروف و با در نظر گرفتن تمامي زير باندي پر شده و نيمه پر موجود در داخل چاه كوانتومي فصل مشترك و همراه با تمامي پتانسيل‌هاي موجود از جمله پتانسيل اثرات قطبش پيزوالكتريكي و خودبخودي ، پتانسيل تصويري ، الكترواستاتيك ، تعويض همبستگي را حل نموده سپس با حل اين جفت معادلات شرودينگر و پواسون تغييرات چگالي گاز الكتروني دو بعدي ، شكل چاه، نماي باند رسانش ، مقادير ويژه زير باندهاي داخل چاه و توابع موج مربوطه ، انرژي فرمي را بدست می آوریم.سپس با این روش به بررسی اثر ناخالثی الومنیوم در نانو ترانزیستورهای می پردازیم طوریكه در این مدل زير باندهاي پر شده در چاه كوانتومي تشكيل شده د ر فصل مشترك ٬ توزيع چگالي گاز الكتروني دو بعدي براي هر دو حالت يك زير باندي و چند زير باندي و توزيع چگالي الكتروني 2DEG نسبت به دما ٬پراكندگی فونونی در چاه كوانتومی و آهنگ تغييرات Ns نسبت به ولتاژ اعمالي به قيت منظور شده است.