بررسي خواص الكترواپتيكي تركيب GaAsO4

پديدآورندگان

باعدي جواد نويسنده , ابراهيمي زهرا نويسنده مركز آموزشي درماني ايزدي-دانشگاه علوم پزشكي قم , بروغني آتنا نويسنده دانشگاه تربيت معلم سبزوار,

تعداد صفحه

5

كليدواژه

تقريب شيب تعميم يافته , GGA , چگالي كل حالتها , چگالي كل حالتها (Dos)

عنوان كنفرانس

شانزدهمين كفنراسن اپتيك و فوتونيك ايران و دومين كنفرانس مهندسي فوتونيك ايران

زبان مدرك

فارسی

چكيده فارسي

لاصه مقاله: درا ين مقاله خواص الكترواپتيكي تركيب GaAsO ، از قبيل تابع چگالي حالتها، تابع دي الكتريك، ضريب شكست، ضريب خاموشي و طيف اتلاف انرژي الكترون مورد بررسي قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسيل كامل امواج تخت تقويت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) با تقريب شيب تعميم يافته (GGA) انجام شده است. گاف الكتريكي محاسبه شده در اين مقاله برابر 3/76 الكترون ولت و گاف اپتيكي برابر با 2/5 الكترون ولت است. كلمات كليدي: تقريب شيب تعميم يافته (GGA) ، چگالي كل حالتها (Dos).

شماره مدرك كنفرانس

1845181

سال انتشار

1388

از صفحه

1

تا صفحه

5

سال انتشار

0