بررسي اثر سونش شيميايي بر لايه هاي سيليكون ويفر در زمانهاي مختلف

در این مقاله به مطالعه¬ی یكی از روش¬های سونش سطح بر روی سیلیكون ویفر پرداخته شده¬است. سونش شیمیایی خیس بوسیله¬ی هیدرو اكسید پتاسیوم یكی از روش¬های متداول و مفید برای سونش سیلیكون ویفر به¬منظور تولید میكرو و نانو ساختار می¬باشد. مطالعه¬ی وابستگی زمانی فرآیند سونش روی سیلیكون ویفر نشان داد كه با افزایش زمان سونش ریشه میانگین مربعی ناهمواری و ناهمواری میانگین سطح نمونه¬ها در مقایسه با نمونه مرجع افزایش یافته¬است. از طرف دیگر تحلیل فركتالی بر روی اطلاعات بدست آمده از میكروسكوپ نیروی اتمی آشكار ساخت كه بالا بردن زمان سونش منجر به كاهش بعد فركتالی مربوط به سطوح از 24/2 تا 05/2 می¬شود.