بررسي تغييرات ضريب بازتابش ساختارهاي كريستال فوتوني يك بعدي تخت متشكل از سه لايه ي متفاوت در هر سلول

پديدآورندگان

قرائتي عبدالرسول نويسنده , سراج فرد عليرضا نويسنده

تعداد صفحه

4

كليدواژه

نوار گاف فوتوني , كريستال فوتوني يك بعدي , چندلايه اي دي الكتريك تخت , ضريب بازتابش

عنوان كنفرانس

شانزدهمين كفنراسن اپتيك و فوتونيك ايران و دومين كنفرانس مهندسي فوتونيك ايران

زبان مدرك

فارسی

چكيده فارسي

report iconخلاصه مقاله: در اين مقاله به بررسي تاثير تغييرات ضريب شكست و فاصله ي بين لايه هاي كريستال فوتوني تخت برضريب بازتابش ساختاري متشكل از سه لايه ي متفاوت در هر سلول واحد پرداخته ايم. با مقايسه ي پهناي گافهاي اين ساختار و توجه به رفتار آنها نسبت به تغيير ضرايب شكست و ضخامت لايه ها مي توان ضريب بازتابش حاصل از اين ساختارها را نسبت به سيستمهاي دولايه اي افزايش يا كاهش داد و در طراحي بازتاباننده ها از پهناي نوار گاف مناسب استفاده نمود. كلمات كليدي:

شماره مدرك كنفرانس

1845181

سال انتشار

1388

از صفحه

1

تا صفحه

4

سال انتشار

0