طراحي، ساخت و بهينه سازي اثر ضخامت لايه نشر دهنده نور Alq3 بر عملكرد ديود نورگسيل آلي

Design, fabrication and optimization effect of Thickness of Alq3 as an Emissive Layer on the Performance of Organic Light Emitting Diodes

هدف از انجام این مقاله، طراحی و ساخت یك دیود نورگسیل آلی (OLED) و بدست آوردن ضخامت بهینه لایه نشردهنده نور می باشد. در این تحقیق، دیود نور گسیل آلی با دو ساختار ITO / PEDOT: PSS / PVK / Alq3 / Al و ITO / PVK / Alq3 / Al را طراحی كردیم ابتدا به بررسی نقش لایه تزریق كننده حفره آلی PEDOT:PSS در ساختار دیود پرداختیم. در ساختاری كه لایه تزریق حفره استفاده شد، ولتاژ راه اندازی كمتری بدست آمد. سپس اثر ضخامت لایه گسیلنده آلی Alq3 بر مشخصه های جریان ولتاژ دیو دنور گسیل الی بررسی و بهینه سازی شد. ضخامت بهینه برای لایه نشر دهنده نور با توجه به ولتاژ آستانه 80 نانومتر بدست آمد.

The present study aims to design and construct an Organic Light Emitting Diode (OLED) and to obtain the optimum thickness of the light emitting layer. In this study, Organic Light Emitting Diodes with two structures of ITO / PEDOT: PSS / PVK / Alq3 / Al and ITO / PVK / Alq3 / Al have designed. First, the role of the hole injection organic layer of PEDOT: PSS in the diode structure was discussed. In view of that, the structure in which the hole injection layer was used, the threshold voltage was lesser. Then, the effects of the thickness of organic emitting layer of Alq3 on the current-voltage characteristics of organic light emitting diode were studied and optimized. Accordingly, the optimum thickness for light emitter layer with regard to the threshold voltage was concluded to be 80 nm.