بررسي مقاومت در ساختار فلز - دي ان ا- فلز در حضور ميدان مغناطيسي خارجي بر اساس نمودار جريان - ولتاژ

استفاده از دئوكسی ریبونوكلئیك اسید (DNA) در دستگاه های الكترونیكی بعنوان میكرو و نانو سنسور در سالهای اخیر افزایش یافته است. مطالعه رفتار الكترونیكی از تركیبات آلی، دانشمندان را بر آن داشت كه بر روى خواص الكتريكی مواد بیولوژیكی تحقیقاتی انجام دهند. دی ان ا از مهم ترین مولكول های شناخته شده در طبیعت است كه میتواند گزینه ی قابل توجهی برای كاربرد در الكترونیك مولكولی باشد. كاری كه در این مقاله ارایه شده، بر پایه ی مطالعات آزمایشگاهی بوده و به بررسی مقاومت در ساختار فلز- دی ان ا- فلز در حضور میدان مغناطیسی می پردازد. دی ان ا به كار گرفته شده در این ساختار به روش پی سی آر" استخراج شده است. نمودار جریان برحسب میدان مغناطیسی یك كاهش نمایی را در جریان عبوری در حضور میدان مغناطیسی نشان می هد. این مشخص می كند كه با اعمال میدان مغناطیسی، مقاومت در ساختار فلز - دی ان ا- فلز افزایش مییابد. این نوع حساسیت نسبت به میدان مغناطیسی این ایده را در ذهن می پروراند كه اتصالات دی ان ا- فلز قابلیت استفاده در سنسورهای مغناطیس دارند.