ويژگي هاي خواص الكتريكي لايه هاي نازك كريستال Si/ Ge1-x Six بدست آمده از روش MBE

در اين تحقيق لايه هاي نازك كريستال Si/Ge1-xSix كه (x=5-15%) در دماي پخت T=600-400K به روش اپيتاكسي در خلا 10-5 Pa كه با دستگاه خلا مدل UVP-71P3 روسي در آزمايشگاه دانشكده فيزيك آكادمي علوم تهيه شده و خواص الكتروفيزيكي لايه ها و تغييرات آن ها با شرايط تهيه، از قبيل ضخامت لايه، تغيير دما و ميزان درصد Si در تركيب و Si/Ge1-xSix بررسي شده است. مشخص شد با افزايش ضخامت لايه و دماي كريستال شدن چگالي دررفتگي از 2×105 تا 8×105 cm-2 افزايش مي يابد. و همچنين مشخص شد كه با افزايش مقدار Si در كريستال چگالي حفره ها از (1016-1015cm-3) و نيز ضريب تحرك از (1320-750cm2/Vs) كاهش يافته و تعداد در رفتگي (1016-1017 cm-3) افزايش مي يابد.

The research results of electrophysical properties of thin-film construction are given on the basis of Si/ GetSi. (x=0; 5 and 15 at %), by the achieved method of molecular beam epitaxy on silicon Substrate, depending on the technological parameters and annealing temperature (T=400-600K). It is shown that, the density of dislocation changes from 2.10 to 8.10 cm, but the crystallization degree of the films depends on the thickness and content of Si atoms. With the increase of Si content, the hole concentration is (10°-10cm), and the mobility decreases to (1320-750 cm/VC), which is connected with the increase of concentration of defects to (1 0-10-7 cmʹ)