بررسي نسبت جريان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني بر مبناي تغيير در ضخامت عايق گيت

در اين مقاله اثر تغييرات ضخامت عايق گيت در تغيير نسبت جريان حالت روشن به حالت خاموش (Ion/Ioff) براي يك ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني با گيت هم محور كه كانال آن از نانولوله كربني نيمه هادي زيگزاگ (n,0) بوده، بررسي مي گردد. نواحي سورس و درين با آلايش نانولوله و در راستاي كانال ايجاد شده اند. شبيه سازي افزاره با استفاده از شيوه تابع گرين غير تعادلي انجام شده است كه معادله پوآسن را به صورت خود سازگار با معادله شرودينگر حل مي كند. مشاهد مي شود در كل با كاهش ضخامت عايق گيت نسبت جريان حالت روشن به حالت خاموش افزايش مي يابد. اما در همه ي موارد شرايط اينگونه نيست. در قطرهاي بالا، كاهش ضخامت عايق گيت تا يك مقدار مشخص عملكرد را بهبود مي بخشد و كاهش بيشتر، نسبت Ion/Ioff را كاهش مي دهد. كاهش قطر كانال نانولوله كربني نيز موجب بهبود عملكرد ترانزيستور مي گردد. همچنين ميزان بهبود در عملكرد افزاره با تغيير قطر كانال و ضخامت عايق گيت، در دو ولتاز گيت 1 و 0.4 ولت، مورد بررسي قرار مي گيرد.