بررسي مدل تحليلي فراماده تشديدگر حلقوي گاف دار با دو بستر دي الكتريك

مدل تحلیلی شبه استاتیك برای یك فراماده مغناطیسی تشكیل شده ازتشدیدگر حلقوی گاف دار با دو بستردی الكتریك ارایه می شود نفوذ پذیری مغناطیسی این فراماده به ازای بسامد تشدید ساختارمنفی است درمدل تحلیلی ارایه شده كه بصورت مدار معادل LC می باشد از روش به كارگرفته شده درمحاسبه ظرفیت خازن مسطح چند لایه استفاده می شود دراین مدل برخلاف مدلهای قبلی دو بستر دی الكتریك برای تشدیدگر حلقوی گاف دار درنظر می گیریم همچنین تاثیر ثابت دی الكتریك و ضخامت بستردوم را برجابجایی بسامد تشدید ساختار بررسی می كنیم سپس نتایج بدست آمده را با نتایج حاصل از شبیه سازی ساختار توسط نرم افزار HFSS مقایسه می كنیم نتایج شبیه سازی نشان میدهد بیشینه خطا دربسامد تشدید حاصل از مدل تحلیلی در حدود 4 درصد است درپایان برای سلول واحد مورد بررسی رابطه بسامد تشدید را برحسب ثابت دی الكتریك بستر دوم بدست می آوریم