Aissat, A. University Saad Dahlab Blida - Faculty of the Engineering Sciences - LATSI Laboratory, Algeria , Nacer, S. University Saad Dahlab Blida - Faculty of the Engineering Sciences - LATSI Laboratory, Algeria , Vilcot, J.P. Université des Sciences et Technologies de Lille 1 - Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR CNRS 8520, France

Effet de la température sur la structure d’un puit quantique à base de GaN/Al_x Ga_1-x N

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Dans ce travail nous avons étudié des structures à puits quantique contraint à base de GaN/Al_x Ga_1-x N. Nous avons étudié l’énergie de la bande interdite, le confinement des porteurs dans le puits et l’énergie de transition. L’étude est basée sur l’effet de la contrainte, l’épaisseur de la zone active, la concentration d’aluminium et l’injection des porteurs sur le gain optique. L’effet de la température sur la structure est pris en considération. Nous constatons que lorsque la densité de porteurs augmente de 6 à 8.1025 m^-3 le gain optique et la largeur spectrale augmentent de 25% et 1.3% respectivement. L’accroissement de la température décroit le gain optique. A partir de cette structure nous pouvons réaliser des composants optoélectroniques fiables et stables en température.

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Mots Clés , puits quantique , laser, optoélectronique

Mediterranean Telecommunications Journal

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