Title :
Méthode Optimale de Modélisation de Transistors Haute Fréquence
Author :
Yagoub, M.C.E. ; Li, J. ; Mohammadi, F.A.
Author_Institution :
EITI, Ottawa Univ., Ont.
Abstract :
La conception de systémes radiofréquences et micro-ondes doit reposer sur des modéles fiables, particuliérement pour les composants les plus sensibles tels que les transistors. Dans ce papier, les auteurs présentent une méthode optimale pour déterminer efficacement le modéle de circuit équivalent le plus adapté au transistor á modéliser. Elle utilise les réseaux de neurones flous pour aider á la prise de décision et a été validée par différents exemples de caractérisation de transistors haute fréquence tels que les transistors á effet de champ et les transistors bipolaires á hétérojonction.
Keywords :
equivalent circuits; field effect transistors; fuzzy neural nets; heterojunction bipolar transistors; bipolar heterojunction transistors; field effect transistors; high frequency transistors; microwaves; optimal modelling method; radiofrequency systems; Circuit topology; Equations; Frequency; Robustness; Roentgenium; Circuit équivalent; réseaux de neurones flous; transistor bipolaire á hétérojonction; transistor á effet de champ;
Conference_Titel :
Electrical and Computer Engineering, 2006. CCECE '06. Canadian Conference on
Conference_Location :
Ottawa, ON, Canada
Print_ISBN :
1-4244-0038-4
Electronic_ISBN :
1-4244-0038-4
DOI :
10.1109/CCECE.2006.277654