DocumentCode
3136284
Title
Méthode Optimale de Modélisation de Transistors Haute Fréquence
Author
Yagoub, M.C.E. ; Li, J. ; Mohammadi, F.A.
Author_Institution
EITI, Ottawa Univ., Ont.
fYear
2006
fDate
38838
Firstpage
368
Lastpage
371
Abstract
La conception de systémes radiofréquences et micro-ondes doit reposer sur des modéles fiables, particuliérement pour les composants les plus sensibles tels que les transistors. Dans ce papier, les auteurs présentent une méthode optimale pour déterminer efficacement le modéle de circuit équivalent le plus adapté au transistor á modéliser. Elle utilise les réseaux de neurones flous pour aider á la prise de décision et a été validée par différents exemples de caractérisation de transistors haute fréquence tels que les transistors á effet de champ et les transistors bipolaires á hétérojonction.
Keywords
equivalent circuits; field effect transistors; fuzzy neural nets; heterojunction bipolar transistors; bipolar heterojunction transistors; field effect transistors; high frequency transistors; microwaves; optimal modelling method; radiofrequency systems; Circuit topology; Equations; Frequency; Robustness; Roentgenium; Circuit équivalent; réseaux de neurones flous; transistor bipolaire á hétérojonction; transistor á effet de champ;
fLanguage
English
Publisher
ieee
Conference_Titel
Electrical and Computer Engineering, 2006. CCECE '06. Canadian Conference on
Conference_Location
Ottawa, ON, Canada
Print_ISBN
1-4244-0038-4
Electronic_ISBN
1-4244-0038-4
Type
conf
DOI
10.1109/CCECE.2006.277654
Filename
4054655
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