Einschnÿreffekt bei Transistoren mit Streifengeometrie (Pinch-in effect in transistors with emitter-stripe geometry)

Es wird gezeigt, daß bei ausreichend hohem Multiplikations-faktor in der Kollektorfeldzone eine punktförmige Einschnÿrung des Emitterstromes (pinch-in Effekt) auftretenk ann. Dieser Effekt, der von der Zylindergeometrie her bekannt ist, kommt dadurch zustande, daß die Gleichverteilung des Emitterstromes in Lÿngsrichtung des Emitterstreifens instabil weid. This letter shows that the emitter current is concentrated at one localised spot when the multiplication factor in the collector depletion layer becomes sufficiently high. This effect, which has previously been described only for transistors with cylindrical geometry, is due to an instability of the emitter-current distribution along the emitter stripe.