Statische Kennlinien von M.O.S.-Feldeffekt-Transistoren im ohmschen und Sÿttigungsbereich (Current/voltage characteristics of m.o.s. field-effect transistors in the linear and saturation region)

Mit Hilfe einfacher eindimensionaler physikalischer Modelle fÿr den ohmschen und den abgeschnÿrten Bereich werden die Ausgangskennlinien von M.O.S.-Feldeffekt-Transistoren unter Berÿcksichtigung kurzer Kanÿle und der Einflÿsse von schnellen Oberflÿchenzustanden abgeleitet und mit Meßergebnissen an n-Kanal- und p-Kanal-M.O.S.-Feldeffekt-Transistoren verglichen. Theoretical current/voltage characteristics of m.o.s. field-effect transistors are derived from simple 1-dimensional physical models for the linear and saturation region, including short channels and the effects of fast surface states, and are compared with measurements of both n-channel and p-channel m.o.s. field-effect transistors.