Durch SchaltungsmaÃ\x9fnahmen erhöhte Speicherzeit beim Ein-Transistor-Speicherelement (Increased storage time of a single-transistor memory cell)

Es ist ein Ein-Transistor-Speicherelement mit einer neuartigen Verschaltung von Auswahltransistor and Speicherkondensator erlÿutert. Im Vergleich mit einem Speicherelement herkömmlicher Bauart benötigt der neuartige Entwurf ca. 20% mehr Flÿche, die Speicherzeit ist aber, wie Messungen zeigen, um mehr als zwei Zehnerpotenzen gÿnstiger. An improved single-transistor memory cell using a new connection of the selector transistor and the storage capacitor is presented. Compared with a conventional single-transistor memory cell, the area consumption is about 20% larger, but, in contrast, the storage time is increased by at least a factor of 150.