Title :
Phasenselektiver Gleichrichter mit grosser Bandbreite (Wide bandwidth phase-sensitive rectifier)
Author_Institution :
FH Lippe, Fachbereich Elektrotechnik, Lemgo, West Germany
Abstract :
Es wird gezeigt, daà phasenselektive Gleichrichter bei Verwendung von Dual-MOS-Transistoren von sehr tiefen Frequenzen an bis hinein in den MHz-Bereich gute Ergebisse erbringen. Eine Kompensation kapazitiver Einflÿsse erfolgt nach dem Prinzip des `kompensierten Spannungsteilers¿ im Serien-Parallel-Betrieb des Dual-MOS-Transistors. Die Ansteuerung der zwei MOS-Transistoren geschieht alternierend. It will be shown that, using dual m.o.s. transistors, phasesensitive rectifiers supply good results from very low frequencies to the megahertz region. Capacitive influences are compensated after the principle of `compensated voltage divider¿ in series/shunt mode of the dual m.o.s. transistors. The two m.o.s. transistors are driven alternately.
Keywords :
field effect transistors; rectifying circuits; capacitive influences; compensated voltage divider; dual MOS transistors; megahertz region; series/shunt mode; wide bandwidth phase sensitive rectifier;
Journal_Title :
Electronics Letters
DOI :
10.1049/el:19750439