ناقل جريان نسل دوم كلاس AB مبتني بر حلقه تراخطي با مقاومت ورودي بسيار پايين

Class AB Ultra Low Input Impedance Trans-linear Based Second Generation Current Conveyor

در اين مقاله يك ناقل جريان نسل دوم (CCII) كلاس AB جديد مبتني بر حلقه تراخطي با مقاومت ورودي بسيار پايين بر اساس تكنيك فيدبك جرياني مثبت ارائه شده است و عملكرد آن مورد بحث و بررسي قرار گرفته است. براي اطمينان از عملكرد صحيح مدار و نتايج حاصله تأثير تغييرات دما، ولتاژ آستانه، تغييرات W/L و همين‌طور تأثير تغييرات VDD بر اين ساختار توسط تحليل مونت‌كارلو براي سي بار اجرا با خطاي 3 % بررسي شده است كه عملكرد خوب مدار پيشنهادي را تثبيت مي‌كند. مقاومت ورودي پايه X تا فركانس‌هاي حدود MHz 10 در محدوده بسيار پايين و در حدود mΩ 0.83 به‌دست آمده است. مدار داراي آفست جرياني بسيار كم nA 12.3 و آفست ولتاژي حدود mV 17.2 مي‌باشد. بهره جرياني مدار يك و پهناي باند حالت جريان آن MHz 900 مي‌باشد. همچنين بهره ولتاژي مدار 0.964 با پهناي باند حالت ولتاژ MHz 600 به‌دست آمده است. مدار CCII پيشنهادي توسط نرم‌افزار HSPICE و با تكنولوژي TSMC CMOS µm 0.18 شبيه‌سازي شده است. ولتاژ تغذيه براي اين مدار V ±1.5 و جريان تغذيه µA 10 در نظر گرفته شده است و مصرف توان مدار µW 304.28 برآورد شده است.

In this paper a novel class AB, ultra-low input impedance trans-linear based second generation current conveyor utilizing current positive feedback technique is proposed and the principle of its operation is discussed. In order to verify the performance of the proposed structure and also the achieved results the effect of temperature, threshold voltage, W/L and VDD variations is investigated on the circuit applying Monte Carlo analysis with thirty runs including 3 percent error which proves the robustness of the proposed technique. The input impedance of port X remains at relatively low values of about 0.83mΩ to frequencies up to 10MHz. The circuit has ultra-low offset current of 12.3nA and offset voltage of 17.2mV. It has current gain of 1.000 and current signal bandwidth of 900MHz. The voltage gain of 0.964 with voltage signal bandwidth of 600MHz is also achieved. The proposed CCII is simulated with HSPICE in TSMC 0.18µm CMOS technology. ±1.5V supply voltage with 10µA bias current is considered and the power dissipation of 304.28µW is measured.