چالش هاي طراحي آي سي هاي ديجيتال در فرآيندهاي ساخت نانومتري

مدارهاي مجتمع ديجيتال (يا آيسي هاي ديجيتال) امروزه در سيستمهاي كامپيوتري و مخابراتي بسيار مورد استفاده قرار ميگيرند. افزودن كاركردهاي هر چه بيشتر به سيستم، نياز به افزايش كارايي و در عين حال كاهش قيمت در مداره اي مجتمع، روند كوچكمقياس شدن فناوري را موجب شده است. اما كوچكمقياس شدن شتابان فناوري به ويژه در گره هاي فناوري كوچكتر از 45nm چالش هاي بزرگي را ايجاد نموده است. در اين گره هاي فناوري از يك سو حفظ دقت نسبي پارامترهاي افزاره ها و خطوط واصل دشوارتر است و از سوي ديگر حفظ سطح كارايي مطلوب (براي مثال سرعت پردازش ريز پردازنده ها در سيستم هاي پردازشي) در طول عمر بسياري از قطعات تجاري به يك مساله مهم تبديل شده است. در عين حال مصرف توان پويا و به ويژه توان نشتي، به دغدغه ي مهمي در طراحي مدارهاي مجتمع ديجيتال تبديل شده است، اين در حالي است كه مصرف توان به ويژه در كاربردهاي پرتابل همچون گوشي تلفن همراه و يا تبلت ها و لپتاپ ها بسيار پر اهميت است. در اين پژوهش مهمترين چالش هاي طراحي مدارهاي ديجيتال در محدوده ي نانومتري مورد بررسي قرار ميگيرند.