بررسي اثر دماي بازپخت در نانو ساختار 2SnO-2TiO ساخته شده به روش باريكه الكتروني بر روي زير لايه‌هاي شيشه و آلومينيوم/ شيشه

Influence of annealing temperature on the nanostructure TiO2-SnO2 prepared by electron gun method on the glass substrate and the aluminum/glass

لايه هاي نانوساختار 2 SnO -2 TiO به روش باريكه الكتروني روي زيرلايه هايي از جنس شيشه و آلومينيوم/شيشه لايه نشاني شدند. خلأ موردنياز در فرآيند لايه نشاني 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لايه ها تحت عمليات بازپخت در دماهاي 450 ، 500 و 550 درجه سانتي‌گراد قرار گرفتند. ساختار بلوري و مورفولوژي لايه ها توسط آناليزهاي XRD و SEM بررسي گرديد. خواص الكتريكي ( I-V ) و اپتيكي لايه ها نيز توسط سيستم نگهدارنده دو سوزني و طيف سنج UV/Vis/IR مطالعه شد. نتايج نشان داد كه تحت دماي بازپخت 550 درجه سانتي‌گراد لايه ها بلورينگي بهتري داشتند. ضخامت و ابعاد دانه در هر دو نمونه به ترتيب حدود 35 و 48 نانومتر گزارش شد. رسانش الكتريكي در نمونه هايي با زيرلايه آلومينيوم/شيشه تحت بازپخت 550 درجه سانتي‌گراد نسبت به ديگر لايه ها بهتر بود. گاف انرژي نيز با افزايش دما از 4.05 به 4.03 الكترون ولت براي حالت مستقيم كاهش يافت.

TiO2-SnO2 thin films were coated on glass and Al / glass substrates by electron gun method. In coating process, the vacuum was 1.5×10-5 torr. Then, films were annealed at 450, 500 and 550 ˚ C. The crystallographic structure and film morphology were investigated by means of XRD and SEM. The electrical (I-V) and optical properties were studied by the two point props system and UV/Vis/NIR spectrophotometer. The results showed the films under 550 ˚ C were crystalline. The thickness and grain size were 350 and 50 nm respectively. The electrical conductivity in the sample with Al / glass substrate under 550 ˚ C was better than the other samples. When temperature increased, the energy gap decreased from 4.05 to 4.03 eV for direct cases.