ترانزيستور ماسفت سه ‌گيتي با استفاده از ديود تونل‌زني سيليسيم - ژرمانيم براي بهبود اثر بدنه شناور

Triple-Gate MOSFET Transistor using the Silicon-Germanium Tunneling Diode for Kink Effect Improvement

در اين مقاله ساختار جديدي براي ترانزيستور سه‌گيتي (SG-TD) ارائه شده است. در اين ساختار با به كار بردن سيليسيم - ژرمانيوم در ناحيه سورس و ايجاد تونل‌زني به درون ناحيه سورس، مشخصه‌هاي ماسفت سه‌گيتي در مقايسه با ساختار ماسفت‌هاي سه‌گيتي مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پيشنهادي علاوه بر اينكه عايق بودن ترانزيستور در زير كانال حفظ مي‌شود، اثرات منفي آن نيز كاهش مي‌يابد. در ساختار ارائه شده براي جلوگيري از تجمع حفره‌ها درون سطح كانال از سيليسيم-ژرمانيوم استفاده شده است. اين كار باعث كاهش اثر بدنه شناور (FBE)، اثر خودگرمايي (SHE) و جريان چگالي حفره‌ها در ماسفت‌هاي سه‌گيتي مي‌شود. نتايج اين ساختار با نرم‌افزار Silvaco به‌صورت سه‌بعدي شبيه‌سازي شده است

This paper proposes a new structure of triple-gate transistors (SG-TD). By using the silicon-germanium in the source region and creating a diode tunneling inside the source, the characteristic of the proposed triple-gate MOSFET is improved in comparison with a conventional triple-gate MOSFET (C-TG). In the proposed structure , not only insulation under of the transistor channel is maintained, but also it reduces the negative effects. In the structure to prevent the accumulation of holes in the channel region, the silicon-germanium have used. This can reduce the floating body effect (FBE), the self-heating effect (SHE), and the current density of holes in the proposed triple-gate MOSFET . The proposed structure is simulated with 3D-Silvaco software.