مقايسه ويژگي نانو ساختاري اكسيد آلومينيوم و اكسيد تيتانيوم

Comparison of Nano Structural Properties of Al2O3 and TiO2 Films

در سال هاي اخير، موادي با ثابت دي الكتريك بالا نظير اكسيد آلومينيوم و اكسيد تيتانيوم به جاي گيت اكسيد سيليكون فرانازك مورد مطالعه قرار گرفته اند. در كار حاضر چنين اكسيدهايي در دماهاي مختلف و تحت شرايط فراخلا بر روي زيرلايه ي Si(100) رشد يافته اند. نتايج بدست آمده نشان مي دهند كه اكسيد آلومينيوم از ساختار مناسب تري نسبت به ساختار اكسيد تيتانيوم برخوردار است و مي تواند به عنوان يك گيت دي الكتريك مناسب در توليدات آتي نانو ترانزيستورهاي ميسفت بكار رود.

Recently, high – K materials such as Al2O3 and TiO2 films have been studied to replace ultra thin gate silicon dioxide film. In the present work, these films were grown on the top of Si(100) surface at different temperatures and under ultra high vacuum conditions. The obtained results showed that Al2O3 has a structure better than that of TiO2 and thus can be used as a good gate dielectric for future MISFET (Metal – Insulator- Semiconductor- Field – Effect- Transistors) devices.