عنوان مقاله :
ديود شاتكي برپايه نانوساختار اكسيد روي با تماس آلياژي AuGeN
پديد آورندگان :
اسلامي جهرمي، خليل دانشگاه خوارزمي، تهران - دانشكده فيزيك - آزمايشگاه نانو فوتونيك , مجلس آرا، محمدحسين دانشگاه خوارزمي، تهران - دانشكده فيزيك - آزمايشگاه نانو فوتونيك
كليدواژه :
نانوساختار , سل-ژل , طرح خطي , طيف جذبي , ليتوگرافي , سل- ژل
چكيده فارسي :
در اين مقاله مقاومت تماسي ويژه فلز آلياژي AuGeNi با نانوساختار ZnO نوع n به كار رفته در ديود شاتكي با روش طرح TLM گزارش شده است. لايه نازك اكسيد روي از طريق لايه نشاني چرخشي سل سنتز شده، روي زيرلايه سيليكاني تهيه گرديد. بيشينه جذبي سل تهيه شده در طول موج 290nm مشاهده شد و پهناي گاف نواري محاسبه شده 4.28eV بدست آمد. سپس لايه نازك آلياژي AuGeNi با روش بخار فيزيكي پس از انجام مراحل ليتوگرافي نوري به صورت طرح TLM خطي روي نمونه لايه نشاني شد مشخصه يابي I-V با روش سنجش چهار پروبي انجام گرفت و اندازه گيري مقاومت تماسي ويژه از طريق نمودار مقاومت كل بين پدهاي فلزي مجاور بر حسب فاصله جدايي آنها، ميسر گرديد. مقاومت تماسي ويژه 71.3Ω − cm2 و مقاومت صفحه اي 150Ω محاسبه شد.
چكيده لاتين :
فاقد چكيده مي باشد
