ساخت و بررسي خواص دي الكتريك سراميك هاي اكسيد روي آلائيده به هافنيوم

در اين كار پژوهشي، براي اولين بار با تكنولوژي ساده سل ژل، اثر ناخالصي عنصر ارزان قيمت و غيرسمي هافنيوم بر روي خواص دي الكتريكي نانوذرات اكسيدروي بررسي شد و ثابت هاي دي الكتريك با بالاترين مرتبه به دست آمدند. ويژگي هاي ساختاري اكسيدروي آلايئده به هافنيوم با اندازه بلورك 0.5 تا 1 ميكرومتر بررسي شد. اين ساختارها با استفاده از پراش پرتوايكس XRD و ميكروسكوپ الكتروني روبشي SEM و همچنين ميكروسكوپ الكتروني عبوري TEM بررسي گرديدند. حضور هافنيوم توسط مشخصه يابيEDX در ساختار تاييد شد. نتايج بدست آمده نشان دادند كه سراميكهاي ZnO:Hf با بالاترين ثابت دي-الكتريك به دست آمده تا كنون ازمرتبه 1011 ، براي آينده نانو الكترونيك ميتوانند بسيار اميد بخش باشند.

In this research, for the first time, with the simple technology of sol gel, the impurities effect of the inexpensive and non-toxic element of hafnium on the di-electrode properties of oxide nanoparticles were investigated and dielectric constants were obtained at the highest level. The structural properties of oxidation were investigated for 0.5 to 1 μm crystalline hafnium. The structures were tested using X-ray diffraction XRD and scanning electron microscopy SEM as well as transient electron microscopy TEM. The presence of hafnium was confirmed by the characterization EDX in the structure. The results showed that ZnO: Hf ceramics with the highest dielectric constant obtained so far up to 1011 can be very promising for the future of nanotechnology.