مقايسه توانمندي ها و محدوديت هاي ترانزيستور تك الكتروني و ترانزيستور اثر ميداني مبتني بر نانولوله كربني به منظور بكارگيري در مبدلهاي توان در ابعاد نانو

Comparison between capabilities and limitations of single electron transistor and nanotube based field effect transistor for employing in Nano converters

ترانزيستور تك الكتروني SET و ترانزيستورهاي اثر ميداني مبتني بر نانولوله هاي كربني CNTFET گزينه هاي مناسبي براي جايگزيني تكنولوژي CMOS در نانومبدلهاي پردازش توان مي باشند. قابليت كوچك سازي در ابعاد نانو، فركانس كليدزني بالا و همچنين تلفات هدايتي و كليدزني پايين برخي از ويژگيهاي بارز آنها در اين كاربرد است. اين دو گزينه براي بكارگيري بعنوان كليد داراي نقاط قوت و ضعفي نسبت به هم هستند كه در اين تحقيق مورد بحث قرار مي گيرند. مقايسه بر مبناي شاخص هاي مهم يك كليد فركانس بالا همانند سرعت كليدزني، تلفات هدايتي و كليدزني، كنترل پذيري، قابليت اعتماد در شرايط كاري مختلف و پارامترهاي مختلف الكتريكي صورت گرفته و با مرجعيت كليدهاي مبتني بر سيليكون مي باشد.

Single electron transistor and Nanotube based field effect transistor are suitable alternatives for CMOS technology in Nano dimensional power converters. Scalability in Nano dimension, high switching frequency as well as negligible conduction and switching losses are among the main advantages of these switches. For utilizing these two options as high frequency switches, they have some merits and shortcomings in comparison with each other, which are discussed in this research. The comparison is based on some important specifications such as frequency of switching, conduction and switching losses, controllability, reliability in different conditions, and different electrical parameters. As a reference, MOSFET which is a well-known high frequency switch is considered.