محاسبه ويژگي هاي الكتروني و ساختار نوارهاي انرژي بلور گاليم ارسنيك در فاز بلند روي

Investigation of Structural and Electrical Properties of GaAs with Zinc-Blende Phase

در اين مقاله ساختار الكتروني و ساختار نوارهاي انرژي بلور GaAs در فاز بلند روي با استفاده از روش امواج تخت بهبود يافته خطي با پتانسيل كامل FP-LAPW در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) و با تقريب هاي مختلف و استفاده از كد محاسباتي Wien2k انجام شده است. در اين روش، براي محاسبه پتانسيل تبادل همبستگي از تقريب هاي LDA و شيب تعميم يافته استفاده شده است. نتايج بيانگر آن است كه خصوصيات الكتروني و ساختاري محاسبه شده اين تركيب از جمله ثابت شبكه و مدول حجمي و تراكم پذيري و مشتق مدول حجمي با استفاده از تقريب GGA نسبت به ساير تقريب ها سازگاري بهتري با نتايج تجربي و نظري به دست آمده از روش هاي ديگر دارد.

In this paper, the electronic and band structure of GaAs in the zinc-blende phase are calculated making use of Full Potential Linear Augmented Plan Wave (FP-LAPW) method in the framework of density functional theory (DFT) by Wien2k software. The exchange and correlation potentials are calculated within the scheme of LDA, PBE and GGA approximations. The calculated band gap for GaAs with the best approximation PBE shows that there is a direct band gap at the Γ point, which is equal to 0.8eV; so, GaAs is semiconductor. The results show that the calculated electronic and structural properties of this composition, including lattice constant and compressibility derivative, are in good agreement with experimental and theoretical results obtained in others’ works.