يك سلول XOR جديد دو ورودي مبتني بر CNTFET با توان نشتي فوق العاده پايين براي تمام جمع كننده هاي ولتاژ پايين و توان پايين

گيت XOR يكي از بلوك هاي سازنده پايه در يك مدار تمام جمع كننده مي باشد كه بهبود عملكرد آن مي تواند به يك تمام جمع كننده بهبود يافته منجر شود. بدين منظور، در اين مقاله، يك سلول XOR جديد ولتاژ پايين مبتني بر ترانزيستور هاي اثر ميدان نانو لوله كربني (CNTFET) پيشنهاد شده است. اهداف طراحي اصلي براي اين مدار جديد، اتلاف توان كم، جريان نشتي پايين و سوئينگ ولتاژ كامل در يك ولتاژ تغذيه كم (Vdd = 0.5 V) مي باشد. چندين مدار XOR به طور كامل با استفاده از HSPICE با تكنولوژي هاي 32nm CMOS و 32nm CNTFET در يك ولتاژ تغذيه كم شبيه سازي شده اند. مدار XOR پيشنهادي با مدارهاي قبلاً شناخته شده مقايسه شده و عملكرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبيه سازي ها نشان مي دهند كه XOR ولتاژ پايين جديد، تلفات توان كمتر، جريان نشتي كمتر و PDP كوچكتري در مقايسه با ساير مدارات XOR قبلي دارد و نسبت به تغييرات پروسه مقاوم مي‌باشد. براساس نتايج بدست آمده در ولتاژ تغذيه 5.0 ولت، فركانس 250 مگا هرتز و خازن بار 5.3 فمتو فاراد، XOR پيشنهادي تاخير انتشار برابر 05.149 پيكو‌ثانيه، توان مصرفي 72.716 پيكو وات، توان نشتي 25.1 پيكو وات و PDP برابر 2110×683.10 ژول از خود نشان مي‌دهد. XOR پيشنهادي مي تواند به خوبي در مدارات جمع كننده ولتاژ پايين و توان پايين استفاده شود.