يك فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پايين و توان پايين با استفاده از ترانزيستورهاي FinFET

يك فشرده ساز، بلوك سازنده بسياري از مدارات محاسباتي مي‌باشد. طراحي يك فشرده ساز كه مساحت كوچكتر، توان مصرفي كم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا مي‌باشد. از آنجاييكه طول كانال به سمت مقياس نانو ميل مي‌كند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پايه در فشرده‌ساز اكنون به محدوديت هاي عملكردي خود از قبيل اتلاف توان ميانگين و سرعت نائل مي‌شود. در اين مقاله، يك سلول تمام جمع كننده يك بيتي با استفاده از ترانزيستور FinFET براساس مدل فرايند PTM 32nm با ولتاژ تغذيه 0.5 ولت براي كاربردهاي موبايل پيشنهاد شده است.سپس، از تمام جمع كننده پيشنهادي در ساختار فشرده ساز استفاده شده و عملكرد فشرده ساز 4:2 پيشنهادي با نتايج شبيه سازي بدست آمده از نرم افزار HSPICE ارزيابي شده است. پارامترهاي اصلي فشرده ساز از قبيل توان مصرفي، تاخير، PDP‌و EDP اندازه گيري شده و عملكرد ممتاز آن با شبيه سازي هاي مختلف ثابت گرديد. همچين، در مقايسه با فشرده ساز مبتني بر MOSFET، تعداد ترانزيستورها به 42 عدد كاهش يافت.