طراحي و شبيه‌سازي يك مدار نمونه‌بردار و نگه‌دار جديد با دقت 12 بيت و نرخ نمونه‌برداري يك GS/s با استفاده از تكنيك نمونه‌برداري دوگانه

در اين مقاله، يك مدار جديد نمونه‌بردار و نگه‌دار Sample and Hold (S H) با دقت 12bit و نرخ نمونه‌برداري 1 GS/s با استفاده از تكنيك نمونه‌برداري دوگانه پيشنهاد شده است. تكنيك نمونه‌برداري دوگانه اين امكان را فراهم آورده است كه مدار هميشه در فاز نگه‌داري عمل نمايد كه خود منجر به افزايش سرعت كل سيستم در مبدل‌هاي داده مي‌شود. به‌منظور كاهش خطاهاي ناشي از غيرخطي بودن سوئيچ‌هاي ورودي، از سوئيچ‌هاي انتقال Transmission Gate (TG) استفاده شده است چرا كه مقاومت خطي‌تري نسبت سوئيچ MOS دارند. مدار S H پيشنهادي در نرم‌افزار HSPICE و با فناوري‌هاي 180nm CMOS و 45nm CMOS شبيه‌سازي شده است. شبيه‌سازي مدار در هر دو فناوري با ولتاژ تغذيه 1.8V انجام شده است و به ترتيب داراي 8mW و 300µW توان مصرفي هستند. از ديگر نتايج شبيه‌سازي مي‌توان به مقدار 12bit دقت در هر دو فناوري اشاره نمود كه در فناوري 180nm براي فركانس ورودي 50.29MHz و در فناوري 45nm براي فركانس ورودي 43.45MHz بدست آمده است، درحالي كه فركانس نمونه‌برداري در هر دو فناوري برابر با 1GHz مي‌باشد.