عنوان مقاله :
وابستگي دمايي مشخصه‌هاي الكتريكي ديود سد شاتكي Al/p-Si
پديد آورندگان :
صادق زاده ، محمدعلي دانشگاه يزد - دانشكده فيزيك - گروه حالت جامد , توكلي ، عاطفه دانشگاه يزد - دانشكده فيزيك - گروه حالت جامد
كليدواژه :
ديود شاتكي , سد شاتكي , ديود Al , pSi , مشخصه يابي الكتريكي , فلز-نيمرسانا
چكيده فارسي :
اتصالات فلز – نيمرساناي شاتكي بعنوان بخش پيچيده قطعات نيمرسانا و صنعت الكترونيك مورد توجه بوده‌اند. در اين مقاله ديودهاي شاتكي Al/p-Si به روش لايه نشاني تبخير حرارتي بر بستر سيليكان نوع پذيرنده ساخته و بر اساس نظريه گسيل گرما يوني مشخصه يابي شدند. پارامترهاي فاكتور ايده‌آل، ارتفاع سد شاتكي و جريان اشباع معكوس، با اندازهگيري منحني جريان ولتاژ (IV) ديودهاي بازپخت شده در محدوده دمايي °C 100-350 بدست آمدند. تأثير بازپخت بر پارامترهاي ديود سد شاتكي بررسي و مشخص شد كه دماي بهينه بازپخت °C 250 مي‌باشد. سپس مشخصه جريان ولتاژ ديودهاي ساخته شده در گستره دمايي 300-15 كلوين اندازهگيري و فاكتور ايده‌آل، ارتفاع سد شاتكي و جريان اشباع معكوس تعيين گرديد. مشخص شد با كاهش دماي ديود، ارتفاع سد شاتكي و جريان اشباع معكوس كاهش، اما فاكتور ايده‌آل افزايش مي‌يابد. در خاتمه ارتفاع سد شاتكي و ثابت ريچاردسون ديود مذكور با در نظر گرفتن توزيع گاوسي ارتفاع سد محاسبه شدند. مقدار بزرگ و غير منتظره فاكتور ايده‌آل را مي‌توان با پراكندگي حامل‌ها از اتمهاي Al نفوذ يافته به نيمرسانا در نزديكي ميانگاه Al/Si توجيه كرد.
عنوان نشريه :
صنايع الكترونيك
