محاسبه‌ي توان سرعت ديواره‌ي حوزه‌ي مغناطيسي در تراوش انفجاري با مدل رشد پل زني ناگهاني

يكي از مفاهيم نانو مقياس، حركت ديواره حوزه مغناطيسي مي‌باشد و در حوزه هاي مختلفي از جمله ذخيره اطلاعات در حافظه ها از آن استفاده مي‌شود. حوزه هاي مغناطيسي در اثر عوامل خارجي از جمله جريان يا ميدان هاي مغناطيسي خارجي شروع به حركت مي‌كنند و در شروع حركت، سرعت حركت ديواره حوزه مغناطيسي به صورت تواني با عوامل خارجي رفتار مي‌كند كه آن را توان جهش نيز مي نامند. در اين مقاله سعي شده است با استفاده از تئوري تراوش انفجاري و مدل جديد پل زني ناگهاني، حركت ديواره‌ي مغناطيسي شبيه سازي شود و با استفاده از روش مونت كارلو توان سرعت در هنگام تراوش يعني نقطه بحراني به دست آيد. مقادير اين توان با توجه به آزمايشات تجربي و نيز شبيه سازي‌ هاي مختلف اعداد مختلفي گزارش شده است كه در اين مدل مقدار 2.2 به دست آمده است.