ويژگي هاي الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي نانو لايه GaAs خالص و آلائيده شده با ناخالصي هاي Mn و Fe واقع بر سطح [001]

انبوهه و نانو لايه‌ي GaAs به دليل كاربردهاي وسيع مورد توجه بسياري از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دليل اهميت نانو لايه GaAs ، در اين مقاله با استفاده از دو ناخالصي Mn و Fe احتمال ايجاد گذار فاز رسانا به نيم‌رسانا و برعكس هچنين چگونگي جابجايي ستيغ هاي ضرايب اپتيكي اين نانو لايه‌‌ها مورد بررسي قرار مي گيرد. به اين منظور ويژگي‌هاي ساختاري، الكتروني و مغناطيسي نانو لايه ي GaAs خالص و آلائيده شده با ناخالصي‌هاي (GaAs+Fe) Mn و Fe (GaAs+Fe) با استفاده از نظريه تابعي چگالي مورد مطالعه قرار مي‌گيرند. چگالي حالت‌هاي الكتروني، ضريب خطي گرماي ويژه ، ساختار نوراري و گشتاور مغناطيسي كل و موضعي حاصل از ناخالصي‌ها محاسبه و مقايسه مي شوند. بخش حقيقي و موهومي تابع دي الكتريك، تابع دي الكتريك استاتيكي، ناهمسانگردي تك محوري، ضرايب بازتابش، ضرايب جذب ، تابع اتلاف انرژي و رسانندگي اپتيكي نانولايه هاي GaAs خالص ، GaAs+Feو GaAs+Fe براي ميدان الكتريكي موازي و عمود بر سطح نانو لايه‌ها با استفاده از تقريب‌هاي چگالي شيب تعميم يافته و انگل-وسكو بررسي و مقايسه مي شوند.