عنوان مقاله :
رشد نانوپوسه هاي MoS2 ايستاده بر سطح به روش رسوب‌دهي بخار شيميايي
پديد آورندگان :
برزگر ، مريم دانشگاه صنعتي شريف - پژوهشكده علوم وفناوري نانو , ايرجي زاد ، اعظم دانشگاه صنعتي شريف - دانشكده فيزيك - پژوهشكده علوم وفناوري نانو
كليدواژه :
مواد دوبعدي , دي‌كالكوژن فلزات واسطه (TMDCs) , نانوپوسه‌هاي MoS2 , روش رسوب‌دهي بخار شيميايي (CVD)
چكيده فارسي :
خواص الكترونيكي جالب و ويژگي‌هاي كاتاليستي چندلايه‌هاي دوبعدي MoS2امروزه توجه محققان را به خود جلب كرده است. در اين مقاله سنتز نانوپوسه‌هاي MoS2 ايستاده روي زيرلايه SiO2/Si در فرآيند سولفيد شدن سريع به روش رسوب بخار شيميايي، گزارش شده است. مشخصه‌يابي مواد با استفاده از طيف‌سنجي رامان، XRD و FE-SEM انجام گرديد. نتايج XRD نشان دهنده فاز غالب 2H-MoS2 و فاصله دو پيك برجسته‌ي E12g و A1g در پراكندگي رامان، ضخامت 6 تا 10 لايه اتمي براي پوسه‌ها را تصديق مي‌كند. با توجه به داده‌هاي تجربي، مكانيزم رشد را بر اساس دانه‌بندي و رشد دوبعدي و در مرحله بعدي بهم پيوستن جزاير دوبعدي و در مرحله نهايي رشد پوسه‌اي ايستاده بهم متصل معرفي كرده‌ايم. اين ساختارهاي ايستاده كه سايت‌هاي فعال زيادي در لبه‌ها دارند كاربردهاي بالقوه و اميدوار كننده‌ي بسياري در ترانزيستورهاي ظريف، حسگرهاي گاز و واكنش‌هاي كاتاليستي خواهند داشت.
عنوان نشريه :
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي
