بررسي عددي ميدان جريان و دما جهت بهبود انتقال حرارت نانوسيال تحت تأثير ميدان مغناطيسي

در اين مقاله انتقال گرماي جابجايي توأم آزاد و اجباري در يك محفظه Cشكل حاوي نانوسيال به روش عددي بررسي شده است. اين جريان از پايين محفظه وارد شده و از بالا خارج شده و ديوارهٔ در ارتباط با سيال در دماي Th در نظر گرفته شد. محفظه تحت اثر ميدان مغناطيسي يكنواختي قرار دارد. معادلات حاكم بر جريان از روش حجم كنترل و استفاده از الگوريتم سيمپل حل شده‌اند و ميدان‌هاي جريان، دما و ميزان انتقال گرما پيش بيني شد. بررسي‌ها به ازاي تغيير اعداد ريچاردسون (Ri)، رايلي (Re)، هارتمن (Ha) و درصد حجمي نانوذرات در حالت دائم انجام شده است. نتايج اين بررسي حاكي نشان داد با افزايش عدد رايلي از 10^3 به 10^5، بيشترين مقدار افزايش انتقال حرارت (افزايش مقدار تايع جريان) از 0.9 به 16.06 m^2/s است ولي با افزايش عدد ريچاردسون از 0.1 به 10، بيشترين كاهش انتقال حرارت از 11.02 به 5.58 m^2/s اندازه‌گيري شد. مؤلفه‌هاي مورد بررسي در پژوهش حاضر به صورت همزمان، در كارهاي ديگر مورد توجه قرار نگرفته است.