اثر حضور نقاط كوانتومي يگانه و دوگانه بر ترابرد فرميون هاي غيربرهمكنشي در ديودهاي تونل زني تشديدي

در اين مقاله با استفاده از رهيافت تابع گرين، ترابرد را در يك ديود تونل زني تشديدي دوقطبي را در نظريه ميكروسكوپي بررسي نموده ايم. براي اين منظور با در نظر گرفتن هاميلتوني قسمت هاي مختلف دستگاه فوتوولتايي pin به تفصيل، تابع گرين تك ذره اي الكترون ها و حفره ها را در تقريب تنگابست محاسبه كرده و سپس با استفاده از اين تابع گرين محاسبه شده، چگالي موضعي حالت ها و چگالي جريان را به دست آورده ايم. نتايج نشان دهنده يك رفتار غيراهمي بوده و بيانگر يك مقاومت منفي در ديودهاي تشديدي تونل زني است. علاوه بر اين نتايج نشان مي دهند كه وجود يك ميدان الكتريكي طولي منجر به اين مي شود كه چگالي محلي حالت ها متناسب با پتانسيل اعمال شده تغيير نمايد. علاوه بر اين وارد نمودن نقاط كوانتومي باعث مي شود كه مقاومت ديفرانسيلي منفي ناشي از پديده تونل زني تشديدي در دستگاه مشاهده شود. از نتايج محاسبات بر روي اين ديودها مي توان در محاسبه جريان تاريك سلول هاي خورشيدي استفاده نمود.