بررسي يكنواختي لايه نازك SiO2 ، توليد شده با روش تبخير باريكه الكترون و تبخير گرمايي

در اين مقاله لايه نازك دي اكسيد سيليسيم، SiO2، با دو روش توليد شده است: در روش اول، SiO2 مستقيماً توسط تفنگ الكتروني تبخير مي شود و هم زمان براي جبران كمبود اكسيژن، گاز اكسيژن به محيط تزريق مي شود. در روش دوم، منواكسيد سيلسيم، SiO، توسط تبخير گرمايي بخار مي شود و در حين تبخير آن، زير لايه با يون هاي اكسيژن كه توسط يك منبع يون توليد شده اند بمباران مي شود. ضريب شكست، ضريب خاموشي و ضخامت لايه به كمك حل عددي روابط عبور و بازتاب محاسبه شده اند. از ميزان جابه جايي منحني عبور مقدار نايكنواختي لايه محاسبه شده است. نتايج نشان مي دهد كه اگر مقدار جريان و انرژي يون هاي اكسيژن به طور مناسب انتخاب شوند، لايه SiO2 توليد شده در روش دوم، جذب ندارد. به علاوه لايه SiO2 توليد شده توسط روش دوم به مراتب يكنواخت تر از لايه توليد شده با روش اول مي باشد.