ساختار نواري و تابش گرمايي بلور فوتونيكي دو بعدي سيليكوني

در اين تحقيق ساختار نواري، خواص اپتيكي و طيف تابش گرمايي بلور فوتونيكي دوبعدي سيليكوني حفره اي با ساختار شش گوشي محاسبه شده است. ساختار نواري، نقشه و اندازه گاف نواري به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. براي اين بلور فوتونيكي با ثابت شبكه a، بيشينه گاف قطبش هاي TE و TM و بيشينه گاف كامل به ترتيب 51%، 20% و 17% و مربوط به شعاع هاي a43/0 و a50/0 و a48/0 مي باشد. با محاسبه طيف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون كيرشهف، طيف تابش گرمايي در ناحيه m 1 μتا m 10 μ محاسبه شده است. نتايج به دست آمده نشان مي دهد كه با تنظيم پارامترهاي هندسي شبكه، مي توان ساختار نواري بلور فوتونيكي سيليكوني را مهندسي نمود و طيف تابش گرمايي را به نحوي كنترل نمود كه در سيستم هاي ترموفوتوولتايي قابل استفاده باشد.