ويژگي نشر فوتولومينسانس لايه هاي نازك نانوساختار Co:CdZnS تهيه شده به روش انباشت حمام شيميايي

Photoluminescence Emission Properties of Nanostructured Co:CdZnS Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition Method

در اين پژوهش تلاش گرديد تا با بهينه سازي برخي از فاكتورهاي آزمايشگاهي، لايه هاي نازكي از نانوبلورهاي نيم رساناي كادميم روي سولفيد آلاييده شده با كبالت با تك قله گسيل مربوط به ترازهاي انرژي آلاييدگي، به روش انباشت حمام شيميايي تهيه گردند. نتايج نشان دادند كه قله گسيل شديد در حدود 530 نانومتر را مي¬توان به بازتركيب حاملين بار از طريق ترازهاي كبالت در گاف انرژي نسبت داد. همچنين، الگوهاي پراش پرتوي ايكس لايه هاي نازك Co:CdZnS نشان دادند كه با افزايش دماي لايه نشاني، اندازه ي نانوبلورهاي تشكيل دهنده لايه ها بزرگتر مي شود. كيفيت مناسب خواص سطح لايه هاي تهيه شده در دماهاي لايه نشاني مختلف، با استفاده از تصويربرداريِ ميكروسكوپ الكترون روبشيِ- گسيل ميداني اثبات گرديد. خواص نشري اين لايه-ها نشان مي دهند كه اين لايه ها پتانسيل بسيار مناسبي براي كاربرد در دستگاه هاي اپتوالكترونيكي نانو مقياس دارند.

In this study, it was tried to prepare nanostructured thin films of Co-doped CdZnS (Co:CdZnS) with relative single dopant-related emission peak, through optimization of several experimental parameters, and using chemical bath deposition technique. Results demonstrated that the intense emission peak around 530 nm can be attributed to the recombination of charge carriers through mid-gap localized energy levels of cobalt ions. The Xray diffraction patterns of Co:CdZnS thin films, also revealed that increasing deposition temperature leads to an increase in the size of nanocrystals. The suitable quality of surface characteristics of the layer at each deposition temperature was demonstrated by field emission-scanning electron microscopy. The emission characteristics of these layers show their suitable applicable potentials as light-emitting structures in nanoscale optoelectronic devices.