طراحي و پياده سازي امولاتور شناور سلف حافظه دار در فركانس‌هاي بالا

Design and Implementation of High Frequency Floating Meminductor Emulator

بدون شك عناصر حافظه­ دار انقلاب جديدي در صنعت الكترونيك ايجاد كرده است، كه باعث مي­شود از خواص آن در كاربردهاي گوناگون بهره برد. سلف حافظه ­دار يكي از عناصر مذكور بوده كه با توجه به ويژگي­هاي منحصر به ‌فرد آن اخيراً مورد توجه بسياري از محققان قرار گرفته است. در اين مقاله، ابتدا يك ساختار جديد از مدل سلف حافظه­ دار با استفاده از ممريستور ارائه گرديده است. اين ساختار تا فركانس 200 هرتز عملكرد خوبي از خود نشان مي‌دهد. سپس براي اولين بار يك ساختار جديد به منظور طراحي و پياده‌سازي امولاتور سلف حافظه‌دار كنترل شده با شار مغناطيسي در محدوده فركانسي مگاهرتز پيشنهاد شده است. مدار امولاتور پيشنهادي از يك ضرب كننده آنالوگ استفاده مي‌كند. مدل سلف حافظه ­دار بيان شده مي‌تواند در هر دو تنظيمات افزايشي و كاهشي تنظيم شود و عملكرد خوبي تا فركانس 5/6 مگاهرتز داشته باشد. در اين مقاله ابتدا تحليلي از مدل پيشنهاد شده با مدارات الكترونيكي توضيح داده شده است و سپس نتايج شبيه سازي و ساخت مدل پيشنهادي آورده شده است. نتايج مدار طراحي شده، نشان دهنده عملكرد مناسب مدار طراحي شده به‌عنوان سلف حافظه‌دار مي‌باشد.

Undoubtedly, the discovery of the memristive elements has created a new revolution in the electronics industry that makes it possible to take advantage of its properties in a variety of applications. The meminductor has been one of those elements that has received much attention in recent years due to its features. In this paper, a new structure of the meminductor model using memristor is presented. This circuit performs well up to 200 Hz. Then, for the first time, a new structure is proposed for the design and implementation of flux controlled floating meminductor emulators at frequencies in the Megahertz (MHz) range. The proposed emulator circuit uses an analog multiplier. The proposed meminductor model can be adjusted in both incremental and subtractive settings and perform well up to 6.5 MHz. This paper first presents an analysis of the proposed model with electronic circuits and then presents the simulation and facrication results of the proposed model. The results of the designed circuit show the proper performance of the designed circuit as the meminductor.