رسانش از سد دي‌سلنيوم تنگستن از ميان اتصالات سيليسين

حاملان بار در دي‌كالكوژنيدهاي فلزات واسطه داراي درجه آزادي كوانتومي بار، اسپين و وادي هستند. در اين مقاله، خواص ترابرد الكتروني در اتصالي كه دي‌سلنيوم تنگستن، بين دو ناحيه سيليسين نرمال محصور شده است، را در حضور ميدان‌هاي تبادلي زيمان اسپين ( )،دره ( ) و همچنين يك پتانسيل الكتريكي مورد بررسي قرار مي‌دهيم. قطبش اسپين و وادي و همچنين رسانش اسپين و وادي را با استفاده از فرمول‌بندي پراكندگي لاندائوربوتيكر محاسبه مي‌كنيم. نتايج نشان مي‌دهند كه رسانش سيليسين تك لايه نرمال با گاف نواري ذاتي با حضور سد دي‌سلنيوم تنگستن، با تنظيم ميدان ‌هاي زيمان اسپين و دره قابل كنترل است و قطبش اسپيني و دره اي در حدود 80 درصد گزارش شده است. در واقع با تغييرات شدت ميدان هاي زيمان اسپيني و دره اي ، جاي دره ها عوض مي شوند. كه اين نتيجه چشمگيري است. در واقع به راحتي مي توان ترابرد را از دره اي به دره ديگر با تغيير شدت ميدان هاي زيماني و اسپيني به راحتي كنترل كرد.همچنين خواهيم ديد افزايش طول ناحيه مياني به‌دليل پديده تونل‌زني كلاين، نمي‌تواند مانع رسانش شود.