اثرات هندسي بر روي خواص ترموالكتريكي در اتصالات گرافيني تك لايه اي/دو لايه اي

در اين مقاله با استفاه از تقريب بستگي قوي و ماتريس ضرايب جنبشي، خواص الكتريكي و ترموالكتريكي چهار پيكربندي مختلف از نانونوار گرافيني اتصالات تك لايه اي/دولايه اي با لبه هاي آرمچيري و زيگزاگي مطالعه مي شود. اين خواص ترابرد الكتريكي شامل ضرايب رسانش الكتريكي (G)، رسانندگي گرمايي (κ_e)، توان ترموالكتريكي (S) و شاخص شايستگي (ZTe) مي باشند كه براي طراحي ادوات ترموالكترونيكي مناسب هستند. نتايج محاسبات عددي نشان مي دهد كه تحت شرايط هندسي مختلف سيستم مي تواند رفتار فلزي و نيمرسانايي با گاف قابل تنظيم از خود نشان دهد. اين باعث مي شود كه توان ترموالكتريكي و كارايي ترموالكتريكي مختلف و نسبتاً بزرگي تحت شرايط خاص اتصالات از خود نشان دهند. همچنين نقش نوع حامل ها (الكترون يا حفره) نيز در ايجاد خصوصيات الكتريكي و ترموالكتريكي به وضوح نشان داده مي شود. نتايج اين مقاله ممكن است در طراحي ادوات نانوالكترونيكي مبتني بر لايه هاي دو بعدي مفيد باشد.