طراحي و شبيه سازي حافظه چهار ترانزيستوري و دو ممريستوري با كمترين توان مصرفي و حاصلضرب تاخير در توان

ممريستور به عنوان عنصر اساسي حافظه هاي اصلي يا پنهان SRAM و DRAM، مي تواند به صورت موثري زمان راه اندازي و توان مصرفي مدارها را كاهش دهد. غير فرار بودن، چگالي بالاي مدار نهايي و كاهش حاصل ضرب تاخير در توان مصرفي PDp از حقايق قابل توجه مدارهاي ممريستوري است كه منجر به پيشنهاد سلول حافظه شامل چهار ترانزيستور و دو ممريستور (4T2M) در اين مقاله شده است. به منظور شبيه سازي سلول حافظه پيشنهادي، طول ممريستورها 10 نانومتر و مقاومت حالت هاي روشن و خاموش آنها به ترتيب 250 اهم و 10 كيلو اهم انتخاب شده است. همچنين، ترانزيستورهاي MOS سلول نيز توسط مدل CMOS PTM 32 نانومتر شبيه سازي شده اند. شبيه سازي در نرم افزار اچاسپايس و با تغذيه يك ولت و مقايسه آن با دو سلول شش ترانزيستوري متعارف (6T) و دو ترانزيستوريدو ممريستوري (2T2M) نشان مي دهد كه استفاده از ممريستور سبب غير فرار شدن سلول حافظه پيشنهادي و سلول 2T2M در زمان قطع  ولتاژ تغذيه شده است، ضمن آن كه مصرف توان مدار پيشنهادي نسبت به مدار 6T و 2T2M به ترتيب 99.8 درصد و 57.2 درصد كاهش يافته و حاصل ضرب متوسط تاخير در توان نيز به ترتيب 99.4 درصد و 26.7 درصد بهبود يافته است؛ هرچند تاخير نوشتن اين سلول و سلول  2T2Mنسبت به سلول 6T به ترتيب 400 درصد و 218 درصد افزايش يافته است.