شبيه سازي اثرات تابشهاي پروتون و الكترون بروي لايه هاي محافظ در سلول منطقي ديجيتالي ‌درون تراشه ‌FPGA‌ با استفاده از كد ‌FLUKA

در اين مقاله اثرات تابش هاي پروتون و الكترون بروي لايه هاي محافظ در سلول منطقي ديجيتالي درون تراشه FPGA با استفاده از كد FLUKA شبيه سازي شده است. با استفاده از كد مونت كارلوي، ترابرد الكترونها و پروتونها در يك سلول منطقي مربوط به دروازه ي ديجيتالي درون تراشه FPGA مورد بررسي قرار گرفته شده است. در اين شبيه سازي، حداكثر انرژي الكترونهاي و پروتونهاي وارد شده به سلول منطقي تراشه بين 30 تا 50 مگا الكترون ولت بوده و آثار اختلالات ناشي از تابش بر مواد نيمه هادي و همچنين برخي از اثرات مخرب تابش پرتوهاي الكترون و پروتون در پنج ساختار متفاوت با بكار بردن لايه هاي آلومينيوم، سيليكون، دي اكسيد سيليكون، بورن و اكسيد بورن مورد بررسي قرار گرفته شده است. نتايج شبيه سازي ها نشان مي دهد، بكار بردن لايه ي ضخيم دي اكسيد سيليكون در چند لايه ي متفاوت موجب كاهش آثار ناشي از اختلال ها نسبت به ساير ساختارها خواهد شد.