بررسي تجربي تأثير سطح شياردار و ميدان مغناطيسي بر جوشش استخري نانوسيال گاما-اكسيدآهن/ آب

استفاده از نانوذرات، گسترش سطح گرمكن و اعمال ميدان مغناطيسي از عوامل مؤثر بر انتقال حرارت جوشش است. در اين مقاله، جوشش استخري آب ديونيزه و نانوسيال مغناطيسي گاما اكسيدآهن/ آب در فشار يك اتمسفربرروي سطح مسي صاف و شياردار در حضور وعدم حضور ميدان مغناطيسي به طور تجربي بررسي شده است. نتايج نشان داده كه ضريب انتقال حرارت جوشش آب ديونيزه در سطح شياردار دايره‌اي و مستطيلي افزايش و در مثلثي كاهش نسبتبه سطح صاف داشته است. ضريب انتقال حرارت جوشش نانوسيال در سطح شياردار دايره‌اي24 درصدافزايش، در مستطيلي 8 و مثلثي 37 درصد كاهش نسبتبه سطح صاف داشته است. وجود گوشه‌ها و كاهش ترشوندگي در ديواره عمودي در شيار مستطيلي و مثلثي و سرخوردن حباب‌ها باعث افزايش مقاومت حرارتي نسبت به شيار دايره‌اي مي‌شود. براي ايجاد ميدان مغناطيسي از دو آهنرباي تخت دائم در دو طرف مخزن جوشش استفاده شده است. با اعمال ميدان مغناطيسي با گراديان منفي، ضريب انتقال حرارت جوشش نانوسيال در شارهاي پايين در سطح شياردار دايره‌اي و مستطيلي افزايش و در مثلثي كاهش يافته است. نيروي مغناطيسي رو به باال باعث كاهش قطر حباب‌هاي تشكيل شده مي‌شود، اما نوع شيار نيزبرنتيجه اثرگذار است