تحليل عددي پديده‌ي اختلاط مغناطيسي در يك جريان الكترواسموتيك بين دو صفحه موازي

در مقاله حاضر، اختلاط در جريان‌ الكترواسموتيك در حضور يك ميدان مغناطيسي با سه موقعيت مختلف مكاني به‌صورت عددي مطالعه و شبيه‌سازي شده است. هندسه جريان يك مجراي دوبعدي بين دو صفجه موازي است و جريان مورد نظر تراكم ناپذير، دائم و آرام فرض شده است. معادلات حاكم بر مسأله، شامل معادلات اندازه حركت اصلاح شده (ناويراستوكس) براي ميدان جريان سيال، معادلات ميدان‌هاي پتانسيل الكتريكي خارجي و داخلي، معادلات توزيع غلظت يون‌هاي مثبت و منفي (ارنستپلانك)، معادله ميدان مغناطيسي و معادله‌ي غلظت گونه‌ها به روش عددي حجم محدود حل شده است.به منظور اعتبارسنجي برنامه عددي، يك جريان ايده‌آل الكترواسموتيك كه در آن سراسر ديواره‌ها باردار مي‌باشد، شبيه‌سازي گرديده است و نتايج آن با نتايج تحليلي موجود مقايسه شده است.نتايج عددي نشان مي‌دهد كه در حضور يك ميدان مغناطيسي براي جريان در يك ريزمجرا، راندمان اختلاط نسبت به حالت عدم حضور ميدان مغناطيسي افزايش چشم‌گيري مي‌يابد، به طوري كه راندمان اختلاط نهايي حداكثر به 93.3 درصد مي‌رسد. البته اين در حالي است كه ميدان مغناطيسي قبل از لايه دوگانه الكتريكي اعمال شده باشد.