ارائه يك روش شبه تحليلي براي استخراج شاخص‌هاي نمونه سيگنال كوچك ترانزيستورهاي قدرت ريزموج باقابليت تحرك بالاي الكترون مبتني بر فناوري گاليم نيترايد

در دهه اخير استفاده از ترانزيستورهاي قدرت ريزموج باقابليت تحرك بالاي الكترون مبتني بر فناوري گاليم نيترايد، براي طراحي تقويت‌كننده‌هاي قدرت در رادارها مورد توجه قرارگرفته است. به‌منظور  طراحي يك تقويت‌كننده قدرت ريزموج با استفاده از اين ترانزيستورها، نياز به نمونه سيگنال بزرگ مناسبي از  ترانزيستور است كه به‌خوبي رفتار آن را بيان كند. اولين قدم در نمونه‌سازي سيگنال بزرگ، نمونه‌سازي سيگنال كوچك ترانزيستور است. اين نمونه را مي‌توان به دو قسمت پارازيتي و  غير پارازيتي تقسيم كرد. براي محاسبه عنصر‌هاي غير پارازيتي، هم بايد ابتدا عنصر‌هاي پارازيتي را مشخص كرد. در اين مقاله با استفاده از يك الگوريتم بهبوديافته و نتايج اندازه‌گيري در شرايط كاري مختلف، خازن‌ها و سلف‌هاي پارازيتي يك ترانزيستور نمونه به‌طور مستقيم و بدون نياز به روش بهينه‌سازي، در فركانس‌هاي پايين محاسبه‌شده‌اند و سپس با چند تبديل ماتريسي و روابط مستقيم، مقاومت‌هاي پارازيتي ترانزيستور در يك نقطه كار متعلق به ناحيه فعال (عدم نياز به ولتاژ گيت سورس بزرگ‌تر از صفر ولت) محاسبه‌شده‌اند. صحت‌سنجي اين روش بهبوديافته به‌وسيله مقايسه شاخص‌هاي پراكندگي سيگنال كوچك شبيه‌سازي‌شده ترانزيستور با نتايج اندازه‌گيري تا فركانس 10 گيگاهرتز، انجام‌شده است. نتايج نشان مي‌دهد كه در باند فركانسي كاري ترانزيستور درصد خطا كمتر از 4 درصد است. از مزاياي اين روش نسبت به روش‌هاي بهينه‌سازي، سرعت ‌بالاي تعيين عنصر‌هاي مدار معادل و پيچيدگي كمتر آن است.